硅光电二极管

产品详细介绍

近赤外域で高感度、MEMS構造を応用

フォトダイオードの裏面にMEMS構造を形成することによって、近赤外域で高感度を実現したSi検出器を開発しました。 S12028は、800 nm以上の近赤外域の感度を大幅に向上させたSi PINフォトダイオードです。当社従来品 (S5821)に比べ、大幅な高感度化を実現しています。

■特長
・近赤外域で高感度: 0.5 A/W (λ=1060 nm)
・受光面サイズ: φ1.2 mm
・高信頼性パッケージ: 2ピン TO-18

受光面サイズ	φ1.2 mm
素子数	1
パッケージ	メタル
パッケージカテゴリ	TO-18
冷却	非冷却
逆電圧 max.	20 V
感度波長範囲	360～1140 nm
最大感度波長 typ.	980 nm
受光感度 typ.	0.5 A/W
暗電流 max.	2000 pA
上昇時間 typ.	10 μs
端子間容量 typ.	4 pF
測定条件	指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 受光感度: λ=1060 nm, 暗電流: VR=10 V, 端子間容量: VR=10 V, f=1 MHz

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