硅光电二极管

大面積、近赤外高感度、MEMS構造を応用

当社は、フォトダイオードの裏面にMEMS構造を形成することによって、近赤外域で高感度を実現したSi検出器を開発しました。S11499-01は、900 nm以上の近赤外域の感度を大幅に向上させたSi PINフォトダイオードです。YAGレーザ (1.06 um)に対して、当社従来品に比べ、約3倍の高感度化を実現しています。なお、950 nm以上における感度の温度特性も改善しています。

■特長
・高感度: 0.6 A/W (λ=1060 nm)
・大受光面サイズ: φ5.0 mm
・高信頼性: TO-8メタルパッケージ

仕様