硅光电二极管

产品大图
  • 硅光电二极管
  • HAMAMATSU滨松
  • S11141-10
  • 日本
  • 现货
产品详细介绍

 

低エネルギー (1 keV以上)の電子線を高感度に直接検出

 

 


■特長
・低エネルギー (1 keV以上)の電子線を高感度に直接検出
・高ゲイン: 300倍
   高検出効率: 72 % (入射電子エネルギー: 1.5 keV)を実現
・大受光面サイズ: 10 × 10 mm
・受光部中心にφ2.0 mmの貫通穴を形成
・薄型セラミックパッケージ
・磁性の弱い基板材質を採用

仕様

 

受光面サイズ 10 x 10 mm
素子数 1
パッケージ セラミック
電子増倍率 typ. 300
逆電圧 max. 20 V
暗電流 max. 60000 pA
遮断周波数 typ. 2.5 MHz
端子間容量 typ. 450 pF
測定条件 Ta=25 ℃, VR=5 V

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