硅光电二极管阵列

X線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ (素子間ピッチ: 1.17 mm)
CsI(Tl)シンチレータ付

裏面入射型構造を採用したＸ線非破壊検査用の16素子Siフォトダイオードアレイです。当社従来品 (S11212シリーズ: 1.575 mmピッチ)を1.17 mmピッチに変更した製品です。裏面入射型フォトダイオードアレイは、入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で、ワイヤへのダメージを気にすることなくシンチレータを実装することができます。

■特長
・素子サイズ: 0.77 (W) × 2.5 (H) mm/1素子
・素子間ピッチ: 1.17 mm × 16素子
・19.0 (W) × 10.2 (H) mmの基板に実装
・複数配列により長尺化が可能
・デュアルエナジーイメージングに対応 (上下2層に組み合わせて使用)