硅光电二极管阵列

裏面入射型構造を採用したX線非破壊検査用の16素子Siフォトダイオードアレイです。当社従来品 (S5668シリーズ)に比べ感度均一性が改善され、素子間のバラツキが小さくなりました。裏面入射型フォトダイオードアレイは、入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で、ワイヤへのダメージを気にすることなくシンチレータを実装することができます。 S11299-021は、デュアルエナジーイメージングに対応しており、高エネルギー用X線と低エネルギー用X線を同時に検出できるようにS11212シリーズ [基板サイズを25.4 (W) × 20.0(H) mm]と組み合わせて上下2層にして使用できる構造になっています。

■特長
・感度波長範囲: 340～1100 nm
・素子サイズ: 1.175 (W) × 2.0 (H) mm／1素子
・素子間ピッチ: 1.575 mm × 16素子
・25.4 (W) × 10.2(H) mmの基板に実装
・複数配列により長尺化が可能
・デュアルエナジーイメージングに対応 (上下2層に組み合わせて使用)

仕様