硅光电二极管阵列

X線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ

裏面入射型構造を採用したX線非破壊検査用の16素子Siフォトダイオードアレイです。 当社従来品 (S5668シリーズ)に比べ感度均一性が改善され、素子間のバラツキが小さくなりました。裏面入射型フォトダイオードアレイは、入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で、ワイヤへのダメージを気にすることなくシンチレータを実装することができます。なおS11212-021は、従来品のS5668シリーズとパッケージサイズ・ピン接続が同じため置き換えが可能です。

■特長
・感度波長範囲: 340～1100 nm
・素子サイズ: 1.175 (W) × 2.0 (H) mm/1素子
・素子間ピッチ: 1.575 mm × 16素子
・25.4 (W) × 20.0 (H) mmの基板に実装
・複数配列により長尺化が可能
・デュアルエナジーイメージングに対応 (上下2層に組み合わせて使用)

仕様

素子サイズ (1素子あたり)	1.175 × 2.0 mm
素子数	16
パッケージ	ガラスエポキシ
パッケージカテゴリ	未封止
シンチレータタイプ	なし
冷却	非冷却
感度波長範囲	340～1100 nm
最大感度波長 typ.	920 nm
受光感度 typ.	0.61 A/W
暗電流 max.	30 pA
上昇時間 typ.	6.5 μs
端子間容量 typ.	40 pF
備考	購入したままの状態ではX線検出器として使用できません。お客様側でシンチレータまたは蛍光紙を実装して使用してください。
測定条件	Ta=25 ℃, 1素子あたり, 受光感度: λ=λp