硅光电二极管

产品详细介绍

高周波帯域までフラットな応答特性を実現

低バイアス電圧 (VR=2 V)で1 GHzを超える高速応答を実現したフォトダイオードです。低容量 (1 pF以下)のため、高速トランスインピーダンスアンプとの組み合わせに適しています。

■特長
・高周波帯域までフラットな応答特性を実現
・高速応答: 2 GHz (VR=2 V, -3 dB)
・低容量: 0.5 pF (VR=2 V)
・高信頼性パッケージ: 3ピンTO-18パッケージ

受光面サイズ	φ0.1 mm
素子数	1
パッケージ	メタル
パッケージカテゴリ	TO-18
逆電圧 max.	20 V
感度波長範囲	320～1000 nm
最大感度波長 typ.	700 nm
受光感度 typ.	0.25 A/W
暗電流 max.	100 pA
遮断周波数 typ.	2000 MHz
端子間容量 typ.	0.5 pF
測定条件	指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 受光感度: λ=850 nm, 暗電流: VR=2 V, 遮断周波数: VR=2 V, 端子間容量: VR=2 V, f=1 MHz

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