InGaAs APD光电二极管

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  • InGaAs APD光电二极管
  • HAMAMATSU滨松
  • G8931-04
  • 日本
  • 现货
产品详细介绍

 

SONET、G/GE-PONに対応した応答特性

 

SONET、G/GE-PONなどの幹線系光ファイバ通信に必要な2.5 Gbpsの高速応答を実現しています。


■特長
・高速応答: 2.5 Gbps
・低暗電流
・低容量
・受光面サイズ: φ0.04 mm
・高感度

仕様

素子数

1

受光面サイズ

φ0.04 mm

パッケージ

メタル

パッケージカテゴリ

TO-18

感度波長範囲

9501700 nm

最大感度波長 typ.

1550 nm

受光感度 typ.

0.9 A/W

暗電流 max.

65 nA

遮断周波数 typ.

4000 MHz

端子間容量 typ.

0.35 pF

降伏電圧 min.

40 V

降伏電圧 max.

60 V

降伏電圧の温度係数 typ.

0.11 V/℃

測定条件

Ta=25℃, 受光感度: λ=1.55 um, M=1